IXBN 75N170A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C ies
C oes
C res
I C = I C90 ; V CE = 10 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle ≤ 2 %
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
30
50
7400
340
90
S
pF
pF
pF
Q g
Q ge
Q gc
I C
= I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
310
60
110
nC
nC
nC
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Min. Max. Min.
A 31.50 31.88 1.240
Inches
Max.
1.255
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 1.0 ?
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 1.0 ?
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
35
60
240
60
6.0
35
60
10
280
120
12
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
R thJC
0.2 K/W
R thCK
0.05
K/W
Reverse Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F
t
I F
v R
= I C90 , V GE = 0 V, Pulse test,
< 300 us, duty cycle d < 2%
= 25A, V GE = 0 V, -di F /dt = 50 A/us
= 100V
15
330
5.0
V
A
ns
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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IXBOD1-06 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-07 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 700V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-08 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-09 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 900V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-10 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-12 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes
IXBOD1-12D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.25KV V(BO) MAX|15MA I(S)